近日，上海陛通半導體能源科技股份有限公司與江蘇省太倉市高新區(qū)進行半導體設備項目投資協議簽約。

據太倉日報報道，該項目為12吋納米級離子化學氣相沉積PECVD和8吋微米級反應離子物理濺射沉積RiD的先進工藝及裝備研發(fā)和制造基地，專注于開發(fā)與發(fā)展半導體集成電路產業(yè)的高端設備制造。

據悉，陛通太倉項目總投資10億元，2022年可實現產值5億元，達產后年產值10億元，將在太倉建設研發(fā)中心、生產中心和銷售中心。

資料顯示，上海陛通半導體能源科技股份有限公司成立于2008年，主要研發(fā)、生產高端半導體設備，主營業(yè)務包括高端集成電路制造設備及相關關鍵部件的研發(fā)和銷售；

高端集成電路制造、液晶面板、LED、光伏制造設備的改造、升級、重新布局、遷移等服務；以及整套集成電路制造生產線及生產段的設備運行維護服務等。

上海陛通半導體公司董事長宋維聰表示，陛通公司擁有強大的研發(fā)團隊和研發(fā)實力，借助太倉良好的發(fā)展環(huán)境，有信心在太倉打造全國為數不多的半導體整體裝備研發(fā)和制造基地。

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引用自: 今日半導體

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